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我国射线化学合成SiC纤维及相关材料的现状与展望
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    2010-12-05

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资料简介

传统CVD法合成的SiC纤维其最高使用温度仅有900 ℃, 氧化先驱丝法制备的SiC纤维也只能用于1 000 ℃以下。主要介绍了我国射线化学合成法制备耐高温抗氧化的SiC纤维(使用温度高于1 600 ℃, 单丝抗拉强度达2.2~2.7 GPa)的系列关键技术, 及其基于这些技术制备圆形截面管状SiC纤维(外径为10~15 μm, 壁厚2~3 μm)的技术; 同时也简介了射线化学应用于纳米微孔SiC功能陶瓷以及SiCf/SiC陶瓷基复合材料等方面的研究进展。

所属栏目

综述中国工程物理研究院科学技术基金重大项目(2004Z0502); 中国工程物理研究院发展基金重点项目(2009A030216); 国家自然科学基金资助项目(19875043, 11175163)

收稿日期

2010/12/52011/9/18

作者单位

许云书:中国工程物理研究院核物理与化学研究所, 绵阳 621900

备注

许云书(1964-), 男, 重庆人, 研究员, 博士。

引用该论文:

XU Yun-shu.Present Status and Prospect of SiC Fibers and Related Materials Synthetized by Radiation Chemistry Method in China[J].Materials for mechancial engineering,2012,36(1):1~6
许云书.我国射线化学合成SiC纤维及相关材料的现状与展望[J].机械工程材料,2012,36(1):1~6


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【关键词】 射线化学 SiC纤维 SiC纤维管 陶瓷基复合材料  许云书

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