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显微组织对冶金法制备多晶硅电阻率的影响
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  • 更新时间:

    2007-03-12

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资料简介

利用四探针电阻测试仪、光学显微镜、扫描电镜、电感耦合等离子发射光谱仪、能谱分析等设备,从晶粒尺寸、组织形态以及晶界析出物等对冶金法制备的多晶硅电阻率的影响.结果表明:组织为等轴晶时,电阻率的大小与晶粒大小成正比;在组织为柱状晶时,平行于柱状晶方向的电阻率明显高于垂直方向的电阻率;在纯度较低的多晶硅中,金属杂质易在晶界处偏析,形成金属硅化物相,降低了多晶硅材料的电阻率.

所属栏目

辽宁省科学计划资助项目(2006222007)

收稿日期

2007/3/122007/6/22

作者单位

张伟娜:大连理工大学材料科学与工程学院,三束材料改性国家重点实验室, 辽宁 大连 116024
谭毅:大连理工大学材料科学与工程学院,三束材料改性国家重点实验室, 辽宁 大连 116024
许富民:大连理工大学材料科学与工程学院,三束材料改性国家重点实验室, 辽宁 大连 116024

备注

张伟娜(1982-),女,河北衡水人,硕士研究生.

引用该论文:

ZHANG Wei-na,TAN Yi,XU Fu-min.Effect of Metallurgical Structure on Electrical Resistivity of Metallurgic Multicrystalline Silicon[J].Materials for mechancial engineering,2008,32(1):17~20
张伟娜,谭毅,许富民.显微组织对冶金法制备多晶硅电阻率的影响[J].机械工程材料,2008,32(1):17~20


被引情况:

【1】

张慧星,谭毅,孙世海,许富民,姜大川, "定向凝固提纯对工业硅杂质及电阻率的影响",机械工程材料 35, 52-55(2011)

【2】

解希玲,谭毅,李佳艳,董伟,刘艳娇,邹清川, "腐蚀时间对多孔硅层形貌及多晶硅性能的影响",机械工程材料 35, 58-60(2011)

【3】

杨玺,吕国强,马文会,罗涛, "不同纯度冶金级硅电导率随温度的变化",机械工程材料 37, 71-74(2013)
参考文献

【1】

Morita K,Miki T.Thermodynamics of solar-grade-silicon refining[J].Intermetallics,2003,11:1111-1117.

【2】

Hamet J F,Abdelaoui R,Nouet G.Precipitation at grain boundaries in silicon[J].Materials Science and Engineering,1989,4:143-145.

【3】

邓志杰,郑安生.半导体材料[M].北京:化学工业出版社,2004.

【4】

GB/T 12963-1996多晶硅[S].

【5】

陈治明,王建农.半导体器件的材料物理基础[M].北京:科学出版社,1999.

【6】

邓海.铸造多晶硅中原生杂质及缺陷的研究[D].杭州:浙江大学,2006.

【7】

胡赓祥,蔡珣.材料科学基础[M].上海:上海交通大学出版社,2000.

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【关键词】 多晶硅 冶金法 电阻率 晶界 金属硅化物  张伟娜 谭毅 许富民

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