分别以粉末钛、硅、石墨和钛、碳化硅、石墨为原料,采用反应烧结工艺制备Ti3SiC2材料.结果表明:当以钛、硅、石墨单质粉料为原料时,在1 200～1 400 ℃温度范围内能够合成出高纯度的Ti3SiC2块体材料,且其纯度随着硅含量的增加而提高;当原料摩尔比为3∶1.3∶2和3∶1.4∶2时,该材料中只有Ti3SiC2相而无其他相存在;而以钛、碳化硅、石墨粉末为原料时,在1 200～1 400 ℃温度范围内很难合成出高纯度的Ti3SiC2块体材料.

所属栏目

陕西省自然科学基金资助项目(2007E104)

收稿日期

2007/7/92007/9/29

作者单位

王超:西安理工大学材料科学与工程学院, 陕西 西安 710048
吕振林:西安理工大学材料科学与工程学院, 陕西 西安 710048
周永欣:西安理工大学材料科学与工程学院, 陕西 西安 710048
张姗姗:西安理工大学材料科学与工程学院, 陕西 西安 710048

备注

王超(1981-),男,辽宁铁岭人,硕士研究生.

引用该论文:

WANG Chao,Lv Zhen-lin,ZHOU Yong-xin,ZHANG Shan-shan.Preparation of Ti₃SiC₂ by Reaction Sintering[J].Materials for mechancial engineering,2008,32(5):38～40
王超,吕振林,周永欣,张姗姗.反应烧结制备Ti₃SiC₂材料[J].机械工程材料,2008,32(5):38～40

参考文献

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