在硅基底上利用喷射电沉积法制备铜/钴多层膜和单层纯铜膜,研究了多层膜的形貌、多层膜和单层铜膜与基体的结合力以及划痕方向对膜基结合力的影响.结果表明:对硅基底进行抛光处理可使膜基结合力减小,粗化处理可在一定程度上提高膜基结合力;多层膜与基底的结合力大于单层铜膜与基底的结合力;当划痕方向平行于工件运动方向时,膜层中的内应力变化不均匀,很容易造成应力累积而使得临界载荷减小,从而使得膜基结合力明显小于划痕方向垂直于工件运动方向时的膜基结合力.
所属栏目
试验研究国家自然科学基金(青年基金)资助项目(51105204);教育部博士点基金资助项目(20113218120022)
收稿日期
2014/4/82015/3/2
作者单位
徐诚:南京航空航天大学机电学院, 南京 210016
沈理达:南京航空航天大学机电学院, 南京 210016
田宗军:南京航空航天大学机电学院, 南京 210016
刘志东:南京航空航天大学机电学院, 南京 210016
马云:南京航空航天大学机电学院, 南京 210016
朱军:南京航空航天大学机电学院, 南京 210016
备注
徐诚(1990-),男,江苏丹阳人,硕士研究生.
引用该论文:
XU Cheng,SHEN Li-da,TIAN Zong-jun,LIU Zhi-dong,MA Yun,ZHU Jun.Adhesion of Cu/Co Multilayer Film Prepared on Silicon Substrate by Jet Electrodeposition[J].Materials for mechancial engineering,2015,39(7):35～39
徐诚,沈理达,田宗军,刘志东,马云,朱军.硅基底上喷射电沉积铜/钴多层膜的结合力[J].机械工程材料,2015,39(7):35～39
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