采用射频磁控溅射法在NiTi膜表面沉积一层非晶硅膜而形成NiTi/Si膜,并对该膜进行了不同温度的退火处理;用XRD、SEM和纳米压痕仪研究了退火温度对NiTi/Si膜的结晶特性和力学性能的影响.结果表明:NiTi/Si膜在600 ℃下退火后其中的硅仍为非晶态;当退火温度在650 ℃后开始出现明显的结晶硅衍射峰,且随着温度升高,硅的结晶度增大,晶粒逐渐长大;而该膜的硬度和抗压痕蠕变能力逐渐降低;该膜弹性模量在650 ℃退火后最大.
所属栏目
试验研究王玉雷(1984-),男,山东枣庄人,硕士研究生.
收稿日期
2009/7/192010/4/7
作者单位
王玉雷:南京航空航天大学材料科学与技术学院, 南京 210016
李子全:南京航空航天大学材料科学与技术学院, 南京 210016
刘劲松:南京航空航天大学材料科学与技术学院, 南京 210016
引用该论文:
WANG Yu-lei,LI Zi-quan,LIU Jin-song.Effect of Annealing Temperature on Crystallization Characteristics and Mechanical Properties of NiTi/Si Films[J].Materials for mechancial engineering,2010,34(9):20～22
王玉雷,李子全,刘劲松.退火温度对NiTi/Si膜结晶特性及力学性能的影响[J].机械工程材料,2010,34(9):20～22
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