以钛、TiC、硅粉为原料, 采用反应熔渗烧结法制备了Ti3SiC2材料, 并对其抗弯强度及断口形貌进行了分析。结果表明:将物质的量比为1∶2∶0.2的钛、TiC、硅粉混合后, 在1 500 ℃烧结0.5 h, 能够制备出高纯致密的Ti3SiC2材料, Ti3SiC2的纯度高达97.6%, 孔隙率仅为4.6%; 随着Ti3SiC2材料纯度的增加, 材料的抗弯强度明显提高, 当Ti3SiC2材料的纯度为97.3%时, 其抗弯强度达到252.5 MPa; 断口可见大量层状Ti3SiC2颗粒, 颗粒间无明显的界面。

所属栏目

陕西省自然科学基金资助项目(2007E104); 陕西省重点学科建设专项基金资助项目(陕财办交[2008]171号)

收稿日期

2010/11/212011/7/28

作者单位

吕振林:西安理工大学材料科学与工程学院, 西安 710048
李阳:陕西北微机电科技有限责任公司, 西安 710119
肖琪聃:西安理工大学材料科学与工程学院, 西安 710048

备注

吕振林(1962-), 男, 陕西西安人, 教授, 博士。

引用该论文:

LV Zhen-lin,LI Yang,XIAO Qi-dan.Preparation of Ti3SiC2 Material by Reactive Melt Infiltration Sintering and Its Flexural Strength[J].Materials for mechancial engineering,2011,35(11):62～65
吕振林,李阳,肖琪聃.反应熔渗烧结法制备Ti3SiC2材料及其抗弯强度[J].机械工程材料,2011,35(11):62～65

被引情况:

【1】

严汉兵,许剑光,吴海江,颜建辉,陈晓宇,陈肯, "铝对高温自蔓延合成Ti₃SiC₂粉体的影响",机械工程材料 39, 46-48(2015)
参考文献

【1】

JEITSCHKO W, NOWOTNY H. Die kristallstructur von Ti3SiC2-ein neuer komplxcar-bid type[J]. Monatash Fur Chem,1967,98(2):329-337.

【2】

RACAULT C, LANGLAIS F, NASLAIN R,et al. On the chemical vapour deposition of Ti3SiC2 from gas mixtures[J]. Mater Sci,1994,29:3341-3348.

【3】

RACAULT C, LANGLAIS F, BEMARD C. On the chemical vapor deposition of Ti3SiC2 from TiCl4-SiCl4-CH4-H2 gas mixtures-part Ⅱ: an experimental approach [J]. Mater Sci,1994,29:5023-5027.

【4】

梅炳初, 刘俊, 朱教群,等.热压TiC/Ti/Si/Al合成Ti3SiC2材料的研究[J].稀有金属材料与工程, 2005, 34(2):252-255.

【5】

EI-RAGH Y T, BARSOUM M W, ZAVALIANGOS A,et al. Processing and mechanical properties of Ti3SiC2-partⅡ: effect of grain size and formation temperature[J]. J Am Ceram Soc,1999,82(10):2855-2860.

【6】

朱教群, 梅炳初, 陈艳林.放电等离子烧结制备Ti3SiC2材料的研究[J].材料科学与工程, 2002(4): 564-567.

【7】

程兰征, 章燕豪. 物理化学[M]. 上海:上海科学技术出版社, 2005.

【8】

胡福增, 陈国荣, 杜永娟.材料表界面 [M].上海: 华东理工大学出版社, 2007.

【9】

黄培云.粉末冶金原理[M].北京: 冶金工业出版社, 2006.

【10】

刘粤惠, 刘平安.X-射线衍射分析原理与应用[M].北京: 化学工业出版社, 2003.

【11】

TANG Ke, WANG Chang-an. A study on the reaction mechanism and growth of Ti3SiC2 synthesized by hot-pressing[J]. Materials Science and Engineering,2002,328:206-212.