采用磁控溅射工艺在微波腔体耦合器内壁沉积了银/铜双层膜，并对该膜的电性能以及膜基结合强度等进行了研究。结果表明：采用磁控溅射法沉积的银/铜双层膜和基体的结合强度可达5.0 MPa;其中，内壁沉积有2 μm银/2 μm铜双层膜的耦合器的电性能最佳，耦合度为5.75～6.20 dB，隔离度为31.02 dB，端口驻波值为24.43 dB，均达到了电镀的指标，插入损耗小于1.70 dB，优于电镀的;该工艺用银量少，无污染，可替代电镀在微波器件表面沉积功能镀层。

所属栏目

新材料 新工艺国家自然科学基金资助项目(61204124);中央高校基本科研业务费专项基金资助项目(2014QNA5002)

收稿日期

2014/9/242015/6/21

作者单位

王会:浙江大学信息与电子工程学系， 杭州 310027
徐晓:昆山万丰电子有限公司，昆山 215313
冯斌:浙江大学信息与电子工程学系， 杭州 310027
王德苗:浙江大学信息与电子工程学系， 杭州 310027

备注

王会(1990-)，女，河北石家庄人，硕士研究生。

引用该论文:

WANG Hui,XU Xiao,FENG Bin,WANG De-miao.Electrical Performance and Adhesion Strength of Magnetron Sputtered Cu/Ag Double-Layer Films[J].Materials for mechancial engineering,2015,39(11):65～67
王会,徐晓,冯斌,王德苗.磁控溅射银/铜双层膜的电性能和结合强度[J].机械工程材料,2015,39(11):65～67

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