作为关键原材料之一，电子信息产业对溅射靶材质量要求非常严格。无损检测对于确保溅射靶材质量具有重要意义。溅射靶材生产过程中应用的无损检测技术主要是X射线技术和超声波技术。无损检测工序的安排需要合理并兼顾生产效率。检测项目主要是原材料与靶材板坯内部缺陷检验和焊接质量检验。应用的超声检测技术主要是超声纵波脉冲反射C扫描技术，而且靶材制造的检验验收标准极为严格。
所属栏目
综述
收稿日期
2012/2/23
作者单位
刘红宾:北京有色金属研究总院，北京100088有研亿金新材料股份有限公司，北京102200
刘伟:北京有色金属研究总院，北京100088有研亿金新材料股份有限公司，北京102200
陈明:北京有色金属研究总院，北京100088有研亿金新材料股份有限公司，北京102200
尚再艳:北京有色金属研究总院，北京100088有研亿金新材料股份有限公司，北京102200
高岩:北京有色金属研究总院，北京100088有研亿金新材料股份有限公司，北京102200
何金江:北京有色金属研究总院，北京100088有研亿金新材料股份有限公司，北京102200
王欣平:北京有色金属研究总院，北京100088有研亿金新材料股份有限公司，北京102200
吕保国:北京有色金属研究总院，北京100088有研亿金新材料股份有限公司，北京102200
江轩:北京有色金属研究总院，北京100088有研亿金新材料股份有限公司，北京102200
备注
刘红宾(1980-)，男，工程师，博士，主要从事新材料开发、制备与检验评估工作。
引用该论文:
LIU Hong-Bin,LIU Wei,CHEN Ming,SHANG Zai-Yan,GAO Yan,HE Jin-Jiang,WANG Xin-Ping,LV Bao-Guo,JIANG Xuan.The Application of Nondestructive Testing in Sputtering Target Manufacture[J].Nondestructive Testing,2012,34(7):57～60
刘红宾,刘伟,陈明,尚再艳,高岩,何金江,王欣平,吕保国,江轩.无损检测在溅射靶材制造中的应用[J].无损检测,2012,34(7):57～60
参考文献
【1】
陈建军，杨庆山，贺丰收.溅射靶材的种类、应用、制备及发展趋势［J］.湖南有色金属,2006,22(04):38-76.
【2】
金永中，刘东亮，陈 建.溅射靶材的制备及应用研究［J］.四川理工学院学报(自然科学版),2005,18(3):22-24.
【3】
努力古.溅射靶材的制备及发展趋势［J］.新疆有色金属,2008(5):55-56.
【4】
尚再艳，江轩，李勇军，等.集成电路制造用溅射靶材［J］.稀有金属,2005,29(4)：475-477.
【5】
刘志坚，陈远星，黄伟嘉，等.溅射靶材的应用及制备初探［J］.南方金属,2003,135:23-32.
【6】
Wickersham C E, Poole Jr J E, Leybovich A, et al. Measurements of the critical inclusion size for arcing and macroparticle ejection from aluminum sputtering targets［J］. J Vac Sci Technol A,2001,19(6):2767-2772.
【7】
Wickersham C E, Poole Jr J E, Fan J S. Arc generation from sputtering plasma-dielectric inclusion interactions［J］. J Vac Sci Technol A,2002,20(3):833-838.
【8】
Wickersham C E, Poole Jr J E, Fan J S, et al. Video analysis of inclusion induced macroparticle emission from aluminum sputtering targets［J］. J Vac Sci Technol A,2001,19(6):2741-2750.
【9】
Gary S Selwyn, Corey A Weiss, Federico Sequeda, et al. Particle contamination formation in magnetron sputtering processes［J］. J Vac Sci Technol A,1997,15(4):2023-2028.
【10】
Vikram Pavate, Murali Abburi, Sunny Chiang, et al. Correlation between aluminum alloy sputtering target metallurgical characteristics［J］. Arc initiation and In-film Defect Density,1997(3214):42-47.
【11】
Paul S Gilman, Alfred Snowman, Andre Desert. Determination of actual defect size in cathode sputter targets subjected to ultrasonic inspection: US, 6269699 B1［P］. 2001.
【12】
Charles E Wickersham, John E Poole, Alexander Leybovich, et al. Method for determing a critical size of an inclusion in aluminum or aluminum alloy sputtering target: US, 7087142 B2［P］. 2006.
【13】
Charles E Wlckersham JR, John E Poole, Alexander Leybovich, et al. Method for determing a critical size of an inclusion in aluminum or aluminum alloy sputtering target: US, 2004/0118675 A1［P］.2004.
【14】
Russell B Gore, Ronald H Fleming. Methods of testing sputtering target materials: US, 6439054 B1［P］.2002.
【15】
Charles E Wlckersham JR, John E Poole, Alexander Leybovich, et al. Sputter targets and methods of manufacturing same to reduce particulate emission during sputtering: US, 2002/0184970 A1［P］.2002.
【16】
Hidemasa Tamura, Norio Yokoyama, Eiichi Shimizu, et al. Sputtering target and production method thereof: US, 6024852［P］.2000.
【17】
陈岳军，赵海燕，史耀武.粗晶材料超声检测缺陷信号增强的小波分析法［J］.中国有色金属学报,1997,7(2):94-96.
