化学机械抛光（CMP）是实现晶圆全局平坦化的主要手段，分析CMP过程的声发射特征对探究CMP机理、监测CMP过程具有重大意义。以半导体互连材料铜为对象，分析铜CMP过程的声发射特征，探索CMP过程产生声发射（AE）信号的机制。研究发现：随着抛光压力和抛光垫转速的增加，AE信号强度增大；CMP过程通入的液体成分对AE信号有较明显的影响；AE信号的能量主要分布在两个频段，其中高频成分能够表征CMP过程的划痕。

所属栏目

试验研究国家自然科学基金资助项目（51275263）

收稿日期

2016/12/19

作者单位

冯超:清华大学 机械工程系, 北京 100084
余前程:清华大学 机械工程系, 北京 100084
何永勇:清华大学 机械工程系, 北京 100084

联系人作者

何永勇(heyy@mail.tsinghua.edu.cn)

备注

冯超(1991-),男,硕士研究生,研究方向为声发射检测

引用该论文:

FENG Chao,YU Qiancheng,HE Yongyong.Effects of Chemical Mechanical Polishing Parameters on Acoustic Emission Characteristics[J].Nondestructive Testing,2017,39(8):7～10
冯超,余前程,何永勇.化学机械抛光参数对声发射特征的影响[J].无损检测,2017,39(8):7～10

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