介绍了磁记忆检测技术的主要应用方法, 分析了相比于其他无损检测技术, 磁记忆检测具有的优点, 并分别从基础理论、仪器制造以及应用等方面梳理了磁记忆检测技术的国内外发展现状。在此基础上, 归纳出目前磁记忆检测有待解决的关键技术问题, 并预测了磁记忆检测技术的未来发展方向。
所属栏目
磁记忆检测技术应用与发展专题国家自然科学基金资助项目（51277101）
收稿日期
2015/6/3
作者单位
乔天骄:清华大学 电机系电力系统国家重点实验室, 北京 100084
黄松岭:清华大学 电机系电力系统国家重点实验室, 北京 100084
赵伟:清华大学 电机系电力系统国家重点实验室, 北京 100084
王珅:清华大学 电机系电力系统国家重点实验室, 北京 100084
联系人作者
黄松岭(huangsling@tsinghua.edu.cn)
备注
乔天骄（1990-）, 男, 硕士研究生, 主要研究方向为无损检测技术。
引用该论文:
QIAO Tian-jiao,HUANG Song-ling,ZHAO Wei,WANG Shen.The Current Research Status and Prospects of Magnetic Memory Testing Technology[J].Nondestructive Testing,2016,38(11):16～20
乔天骄,黄松岭,赵伟,王珅.磁记忆检测技术研究现状及展望[J].无损检测,2016,38(11):16～20
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